MOSFET的饱和漏极电流由（ ）电压决定。

场效应晶体管是由控制漏极电流的 温度升高时，二极管的正向导通电压（）,反向饱和电流（）。   场效应管的漏极电流是由少子的漂移运动形成。() P-MOSFET栅偏压为零时，漏源极之间就存在导电沟道的称为耗尽型。() P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。() 场效应管是利用外加电压产生的（）来控制漏极电流的大小的 理想电流源的电压由决定 N沟道场效应管的漏极电流由_______的漂移运动形成 晶体管的反向饱和电流是指发射极e开路时（）极之间的反向饱和电流 场效晶体管的PDSM=1W，工作时漏源电压VDS=10V，漏极电流ID不可超过（） P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为增强型。() P-MOSFET栅偏压为零时，漏源极之间就存在导电沟道的称为增强型。() 场效晶体管在放大电路中，其漏极电流iD受电压uGS的控制（） PN结加反向电压时，其反向饱和电流是由（ ） 通过理想电压源的电流由电压源本身决定 中国大学MOOC: 理想电压源电压由 决定，电流的大小由电压源以及外电路决定。 同温下，硅二极管的反向饱和电流大于锗二极管的反向饱和电流（） BJT依靠()控制漏极电流iC的器件。 场效应管用来控制漏极电流（） 场效应管是利用外加电压产生的（）来控制漏极电流的大小的，因此，称它为（）控制电流的器件。