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P-MOSFET栅偏压大于零时,漏源极之间才存在导电沟道的称为增强型。()
单选题
P-MOSFET栅偏压大于零时,漏源极之间才存在导电沟道的称为增强型。()
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单选题
P-MOSFET栅偏压大于零时,漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。()
A.错误 B.正确
答案
单选题
P-MOSFET栅偏压大于零时,漏源极之间才存在导电沟道的称为增强型。()
A.错误 B.正确
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单选题
P-MOSFET栅偏压为零时,漏源极之间就存在导电沟道的称为耗尽型。()
A.错误 B.正确
答案
单选题
P-MOSFET栅偏压为零时,漏源极之间就存在导电沟道的称为增强型。()
A.正确 B.错误
答案
单选题
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答案
判断题
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答案
判断题
转移特性是指栅源电压UGS与漏极电流ID之间的关系()
答案
单选题
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A.必须正偏 B.必须零偏 C.必须反偏 D.可以正偏、零偏或反偏
答案
单选题
结型场效应管利用栅-源极间所加的()来改变导电沟道的电阻。
A.反偏电压 B.反向电流 C.正偏电压 D.正向电流
答案
主观题
结型场效应管利用栅源极间所加的_____来改变导电沟道的电阻
答案
热门试题
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