场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化（）
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场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。（）
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场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化（）
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绝缘栅型场效应晶体管可分为（）
A.N沟道耗尽型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、P沟道增强型 B.N沟道增强型、P沟道耗尽型 C.N沟道耗尽型、P沟道耗尽型 D.N沟道增强型、P沟道增强型
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场效应晶体管是由控制漏极电流的
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场效应晶体管是用（）控制漏极电流的
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绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）
A.P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管 B.增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管 C.N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管 D.N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管
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绝缘栅双级晶体管的开关速度（）电力场效应晶体管。
A.稍高于 B.低于 C.等于 D.远高于
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场效应晶体管的控制方式是()。
A.输入电流控制输出电流 B.输入电流控制输出电压 C.输入电压控制输出电流 D.输入电压控制输出电压
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晶体管是电流控制型半导体器件，而场效应晶体管则是电压控制型半导体器件（）
A.正确 B.错误
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晶体管是电流控制型半导体器件，而场效应晶体管则是电压型控制半导体器件（）
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晶体管是电流控制型半导体器件，而场效应晶体管则是电压型控制半导体器件。
场效应晶体管可用于（）。
绝缘栅双极型晶体管的本质就是一个场效应晶体管（）
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晶体管属于_______控制器件，场效应晶体管属于_______控制器件
电力场效应晶体管是理想的电流控制器件。
场效应晶体管与晶体管有何不同？
双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为()。
功率场效应晶体管是单极性器件，属于电流控制型。
电力场效应晶体管MOSFET()现象。
电力场效应晶体管MOSFET（）现象。
电力场效应晶体管是理想的（）控制型器件
功率场效应晶体管一般为()。
结型场效应晶体管可分为（）。
电力场效应晶体管MOSFET是（）器件。
场效应晶体管具有很小的输入电流和很高的输入（）。
场效应晶体管具有很小的输入电流和很高的输入（）
门极可关断晶闸管，大功率晶体管，功率场效应晶体管，绝缘栅双极晶体管按顺序用英文缩写表
双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号为（）
从结构上区分，场效应晶体管可分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管两种（）
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