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功率场效应晶体管一般为()。
单选题
功率场效应晶体管一般为()。
A. N沟道耗尽型
B. N沟道增强型
C. P沟道耗尽型
D. P沟道增强型
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单选题
功率场效应晶体管一般为()。
A.N沟道耗尽型 B.N沟道增强型 C.P沟道耗尽型 D.P沟道增强型
答案
单选题
场效应晶体管可用于()。
A.数字电路的开关、大规模集成电路等 B.整流电路、放大电路 C.滤波电路、整流电路 D.小规模集成电路、开关电路
答案
主观题
场效应晶体管与晶体管有何不同?
答案
单选题
功率场效应晶体管的三个引脚符号为()。
A.源极S,漏极D,发射极E B.漏极D,发射极E,集电极C C.栅极G,发射极E,集电极C D.源极S,漏极D,栅极G
答案
单选题
场效应晶体管的控制方式是()。
A.输入电流控制输出电流 B.输入电流控制输出电压 C.输入电压控制输出电流 D.输入电压控制输出电压
答案
单选题
电力场效应晶体管MOSFET()现象。
A.有二次击穿 B.无二次击穿 C.防止二次击穿 D.无静电击穿
答案
单选题
电力场效应晶体管MOSFET()现象。
A.有二次击穿 B.无二次击穿 C.要防止二次击穿 D.无静电击穿
答案
单选题
的本质是一个场效应晶体管()
A.肖特纳二极管 B.晶闸管 C.电力晶体管 D.绝缘栅双极型晶体管
答案
单选题
结型场效应晶体管可分为()。
A.N沟道耗尽型、P沟道耗尽型 B.N沟道增强型、P沟道耗尽型 C.N沟道耗尽型、P沟道耗尽型 D.N沟道增强型、P沟道增强型
答案
单选题
电力场效应晶体管MOSFET是()器件。
A.双极型 B.多数载流子 C.少数载流子 D.无载流子
答案
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场效应晶体管的输入电阻可高达()。
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