单选题

高能电子束的高值等剂量曲线,随深度增加()

A. 按几何原理发散
B. 不变
C. 逐渐展宽
D. 逐渐内敛
E. 线性变化

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单选题
高能电子束的高值等剂量曲线,随深度增加()
A.按几何原理发散 B.不变 C.逐渐展宽 D.逐渐内敛 E.线性变化
答案
单选题
对高能电子束等剂量曲线形状的错误描述是()。
A.入射面处曲线集中,随深度增加,逐渐散开,有较大的旁向散射 B.曲线的曲度随深度 C.等剂量曲线(包括百分深度剂量曲线)只有对具体机器在具体条件下才有意义 D.等剂量曲线表明,低值等剂量线向内收缩而高值等剂量线则呈膨胀趋势 E.不论入射面是平的还是弯曲的,曲线中心部分与入射表面平行
答案
单选题
关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是()
A.大致分4部分:剂量建成区,高剂量坪区,剂量跌落区,X射线污染区 B.大致分2部分:剂量建成区,剂量指数形式衰减区 C.大致分3部分:高剂量坪区,剂量指数形式衰减区,X线污染区 D.剂量由表面开始逐渐增加,达到峰值后,剂量随深度增加而成指数形式衰减 E.和低能X线的百分深度剂量曲线形式一样
答案
单选题
电子束射野衔接的基本规则是使两野的()等剂量曲线在所需深度相交。
A.25% B.50% C.75% D.90% E.100%
答案
单选题
不属于高能电子束百分深度剂量曲线组成部分的是()
A.剂量建成区 B.高剂量坪区 C.X射线污染区 D.剂量跌落区 E.指数衰减区
答案
单选题
不属于高能电子束百分深度剂量曲线组成部分的是
A.剂量建成区 B.高质量坪区 C.X射线污染区 D.剂量跌落区 E.指数衰减区
答案
单选题
电子束表面剂量随能量增加而
A.降低 B.增加 C.不变 D.不确定 E.随机变化
答案
单选题
不属于高能电子束百分深度剂量的是
A.剂量建成区 B.低剂量坪区 C.高剂量坪区 D.X射线污染区 E.剂量跌落区
答案
单选题
电子束百分深度剂量曲线的高剂量“坪区”的形成原因是()
A.电子束无明显建成效应 B.电子束的皮肤剂量较高 C.电子束的照射范围平坦 D.电子束射程较短 E.电子束容易被散射
答案
单选题
关于高能电子束的百分深度剂量,描述错误的是()
A.剂量建成区 B.低剂量坪区 C.高剂量坪区 D.剂量跌落区 E.X射线污染区
答案
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