中国大学MOOC: 在扩散工艺中，杂质进入半导体后占据正常的晶格格点，主要是沿着空位向里扩散的方法是（）。
查看答案
相关试题
换一换
中国大学MOOC: 在扩散工艺中，杂质进入半导体后占据正常的晶格格点，主要是沿着空位向里扩散的方法是（）。
答案
中国大学MOOC: 扩散工艺中扩散结深的测量可以采用（）方法测出。
答案
中国大学MOOC: 热扩散工艺中扩散结深通常采用（）和（）两种方法进行测量。
答案
扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。
A.内部的杂质分布 B.表面的杂质分布 C.整个晶体的杂质分布 D.内部的导电类型 E.表面的导电类型
答案
利用半导体技术的扩散工艺，将型半导体和型半导体结合在一起，则其交界面便会形成一个PN结（）
A.P B.Q C.S D.D E.N F.H
答案
硅片扩散工艺结束后应抽取（）片来检测。
A.5 B.6 C.3 D.4
答案
中国大学MOOC: 扩散处理除在Si表面的垂直方向进行外，还将进 行横向扩散，横向扩散的宽度大约为（）xj。这也是小尺寸器件不能采用扩散工艺的原因。
答案
中国大学MOOC: 在半导体加工工艺中掺杂的目的主要是（）。
答案
中国大学MOOC: 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于温度。
答案
扩散工艺现在广泛应用于制作（）。
A.晶振 B.电容 C.电感 D.PN结
答案
热门试题
中国大学MOOC: 半导体制造工艺中掺杂的主要目的是（）。
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）
中国大学MOOC: 集成运放制造工艺使得同类半导体管的 。
中国大学MOOC: P型半导体中多子为（ ）。
例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（）
中国大学MOOC: 晶体Si是直接带隙半导体。
什么是两步扩散工艺，其两步扩散的目的分别是什么？
中国大学MOOC: 半导体PN结的电特性是指：（ ）
中国大学MOOC: P型半导体的导电载流子主要是：_______________。
中国大学MOOC: 半导体激光器主要由( )组成。
中国大学MOOC: N型半导体的多数载流子是 。
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。
集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺？各有什么优缺点？
中国大学MOOC: 金属和半导体接触的整流特性可用于？
中国大学MOOC: 半导体生产中常用的薄膜类型有（）。
中国大学MOOC: n型半导体的导电载流子主要是 。（电子/空穴）
中国大学MOOC: 对均匀半导体施加均匀电场，并在表面光注入非平衡载流子，此时半导体中的载流子运动不包括：
中国大学MOOC: 芯片是半导体元件产品的统称，又称为什么？
使用微信扫一扫登录
