例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。

扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺，现在主要被用来制作（）。 扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。 中国大学MOOC: 离子注入方法和扩散方法均能精确控制杂质的浓度。 中国大学MOOC: 离子注入最主要的缺点是（）。 中国大学MOOC: 在扩散工艺中，杂质进入半导体后占据正常的晶格格点，主要是沿着空位向里扩散的方法是（）。 离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。 离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。 实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用（） 对于采取气体扩散工艺的铀浓缩工厂来说,由于空气中的水分与（）作用后形成固体粉末，会堵塞或破坏分离膜。 离子注入表面改性 利用半导体技术的扩散工艺，将型半导体和型半导体结合在一起，则其交界面便会形成一个PN结（） 中国大学MOOC: 扩散处理除在Si表面的垂直方向进行外，还将进 行横向扩散，横向扩散的宽度大约为（）xj。这也是小尺寸器件不能采用扩散工艺的原因。 对于采取气体扩散工艺的铀浓缩工厂来说，由于空气中的水分与六氟化铀作用后形成（），会堵塞或破坏分离膜。 通过扩散方式掺杂对杂质浓度和掺杂深度的控制精度比通过离子注入的方式掺杂要高（） 我公司生产工艺的优点和缺点为（） 什么是离子注入的横向效应？同等能量注入时，As和B哪种横向效应更大？为什么？ 离子注入后为什么要进行退火？ 中国大学MOOC: 热扩散方法适合做深结，离子注入法适合做浅结。