用以描述电子束的剂量分布的特定平面的参数是
A. R85/2
B. U90/50
C. L90/L50
D. P80/20
E. U80/20
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用以描述电子束的剂量分布的特定平面的参数是
A.R85/2 B.U90/50 C.L90/L50 D.P80/20 E.U80/20
答案
下列有关高能电子束剂量分布特点的描述哪项不正确？（）
A.从表面到一定深度，剂量分布均匀 B.能量高表面剂量低，能量低表面剂量高 C.在一定深度之后，剂量下降快 D.随能量增加，下降梯度变小 E.剂量建成区比较窄并随能量增加而变化
答案
对高能电子束剂量分布特点的描叙，哪项不正确（）
A.表面剂量随能量的增加而增加 B.从表面到DmAx为剂量建成区，区宽随射线能量增加而增加 C.从DmAx得到D80(D85)为治疗区，剂量梯度变化较小 D.D80(D85)以后，为剂量跌落区，随射线能量增加剂量梯 E.度变徒随电子束能量增加，皮肤剂量和尾部剂量增加
答案
对高能电子束剂量分布特点的描叙，哪项不正确？（）
A.表面剂量随能量的增加而增加 B.从表面到dmax为剂量建成区，区宽随射线能量增加而增加 C.从dmax得到d80（d85）为治疗区，剂量梯度变化较小 D.D80（d85）以后，为剂量跌落区，随射线能量增加剂量梯 E.度变徒随电子束能量增加，皮肤剂量和尾部剂量增加
答案
描述电子束百分深度剂量的参数不包括（）
A.DS（表面剂量） B.DX（韧致辐射剂量） C.Rr（剂量规定值深度） D.RP（射程） E.Dr（剂量规定值） F.Mn2+ G.Cu2+
答案
描述电子束百分深度剂量的参数不包括
A.D#$IMG0$#（表面剂量） B.D#$IMG1$#（韧致辐射剂量） C.R#$IMG2$#（剂量规定值深度） D.R#$IMG3$#（射程） E.D#$IMG2$#（剂量规定值）
答案
描述电子束百分深度剂量的参数不包括（）
A.DS（表面剂量） B.DX（韧致辐射剂量） C.Rr（剂量规定值深度） D.RP（射程） E.Dr（剂量规定值）
答案
关于电子束的等剂量分布，描述正确的一项是（）
A.随深度增加，低值等剂量线向外侧扩张 B.随深度增加，高值等剂量线向外侧扩张 C.随深度减小，低值等剂量线向外侧扩张 D.随深度减小，高值等剂量线向外侧扩张 E.等剂量线不随电子束能量而变化
答案
以下哪个参数用以表达电子束射野的均匀性（）
A.R85/2 B.U90/50 C.L90/L50 D.P80/20 E.U80/20
答案
电子束剂量分布中X射线成分来源于（）
A.挡铅 B.电子窗 C.均整器 D.散射箔 E.限光筒
答案
热门试题
对高能电子束等剂量曲线形状的错误描述是（）。
关于高能电子束的百分深度剂量，描述错误的是（）
关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是（）
描述照射对电子束百分深度剂量的影响，正确的是
电子束焊设备中用以产生和控制电子束的电子光学系统称为（）。
描述照射野对电子束百分深度剂量的影响，正确的是
电子束表面剂量随能量增加而
关于能量对电子束百分深度剂量的影响，哪项描述正确（）？
关于能量对电子束百分深度剂量的影响，哪项描述正确？
电子束会在铅挡和组织接触的界面处产生电子束的（），使界面处的剂量增加。
电子束和X（γ）线在皮肤表面共线相交，会使得X（γ）线照射野一侧出现剂量_______，电子束一侧出现剂量
电子束焊的焊接参数主要有（）。
电子束中心轴深度剂量曲线同兆伏级光子束相比（）
下列对高能电子束描述正确的是（）。
下列对高能电子束描述正确的是
电子束焊焊接参数易于精确调控,电子束流便于偏转,对焊接结构有广泛的适应性（）
电子束剂量模型中尚未解决的问题不包括
电子束斜入射对百分深度剂量的影响是
不属于高能电子束百分深度剂量的是
电子束的百分深度剂量随照射野增大而变化极小的条件是，照射野的执行与电子束射程比值（）
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