硅二极管的门坎电压为（）v

锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（） 硅二极管上外加正向电压很低时，正向电流几乎为零。只有在外加电压达到约（）时，正向电流才明显增加，这个电压称为硅二极管的门坎电压。 二极管当中，硅管的开启电压约为（）v，错管约为（）v。 二极管当中，硅管的开启电压约为（）V，锗管约为（）V 二极管当中，硅管的开启电压约为（ ）V，锗管约为（ ）V。 二极管真正导通后，硅管的电压约为()V。 硅材料二极管的死区电压为0.3V。 当硅晶体二极管加上0.2V正向电压时.该晶体二极管相当于（） 硅二极管加正向电压（） 在常温下,硅二极管的开启电压约为 V 在常温下，硅二极管的开启电压约为 V（） 锗二极管的导通电压通常比硅二极管的高（） Si二极管的死区电压约为V，Ge二极管的死区电压约为V，Si二极管导通时的管压降约为V，Ge二极管导通时的管压降约为V 硅二极管和锗二极管的导通电压分别为 二极管按材料分类为硅二极管和锗二极管（） 硅二极管的正向导通电压一般是（）V。 硅二极管的死区电压一般为0.2V（） 硅二极管的死区电压一般为0.2V（） 硅二极管的死区电压为 硅二极管的死区电压约为（）