突触前抑制的特点下列哪一项是错误的（）
A. 突触前膜去极化
B. 持续时间长
C. 潜伏期较长
D. 通过轴突一轴突突触结构的活动来实现
E. 轴突末梢释放抑制性递质
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突触前抑制的特点下列哪一项是错误的（）
A.突触前膜去极化 B.持续时间长 C.潜伏期较长 D.通过轴突一轴突突触结构的活动来实现 E.轴突末梢释放抑制性递质
答案
关于突触前抑制的特点下列哪一项描述是错误的
A.持续时间长 B.突触前膜去极化 C.潜伏期较长 D.通过轴突-轴突突触结构的活动来实现 E.轴突末梢释放抑制性递质
答案
关于突触前抑制的特点下列哪一项描述是错误的
A.突触前膜去极化 B.持续时间长 C.潜伏期较长 D.通过轴突-轴突突触结构的活动来实现 E.轴突末梢释放抑制性递质
答案
关于突触前抑制的特点下列哪一项描述是错误的?（）
A.潜伏期较长 B.通过轴突-轴突突触结构的活动来实现 C.持续时间长 D.突触前膜去极化 E.轴突末梢释放抑制性递质
答案
关于突触前膜，哪一项错误（）
A.即轴突终末与后一神经元或肌纤维相接触的细胞膜 B.即轴突末端的细胞膜 C.比一般的细胞膜厚 D.即突触前成分 E.与突触小泡.线粒体等组成突触前成分
答案
关于抑制性突触后电位（IPSP）产生的叙述，哪一项是错误的?
答案
关于抑制性突触后电位产生过程的描述，哪一项是错误的
A.突触前轴突末梢去极化 B.Ca C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合 D.突触后膜对K E.突触后膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
答案
关于抑制性突触后电位产生过程的描述,哪一项是错误的（）
A.突触前轴突末梢去极化 B.Ca2 斗由膜外进入突触前膜内 C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合 D.突触后膜对 K+.Cl-的通透性升高 E.突触后膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动答案
答案
关于抑制性突触后电位产生过程的描述,哪一项是错误的?( )
答案
关于抑制性突触后电位产生过程的描述，哪一项是错误的（）
A.突触前轴突末梢去极化 C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合 E.突触后膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
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关于抑制性突触后电位（IPSP）的生产过程的描述，哪一项是错误的？
知识点：突触前抑制突触前抑制的特点是
关于突触的描述哪一项是错误的
关于突触的描述中，哪一项错误（）。
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下列哪一项在突触前末梢释放递质中的作用最关键（ ）
下列哪一项在突触前末梢释放递质中的作用最关键()
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下列哪一项不是突触的结构：（）
突触前抑制的特点是
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