单选题

突触前抑制的特点下列哪一项是错误的()

A. 突触前膜去极化
B. 持续时间长
C. 潜伏期较长
D. 通过轴突一轴突突触结构的活动来实现
E. 轴突末梢释放抑制性递质

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单选题
突触前抑制的特点下列哪一项是错误的()
A.突触前膜去极化 B.持续时间长 C.潜伏期较长 D.通过轴突一轴突突触结构的活动来实现 E.轴突末梢释放抑制性递质
答案
单选题
关于突触前抑制的特点下列哪一项描述是错误的
A.持续时间长 B.突触前膜去极化 C.潜伏期较长 D.通过轴突-轴突突触结构的活动来实现 E.轴突末梢释放抑制性递质
答案
单选题
关于突触前抑制的特点下列哪一项描述是错误的
A.突触前膜去极化 B.持续时间长 C.潜伏期较长 D.通过轴突-轴突突触结构的活动来实现 E.轴突末梢释放抑制性递质
答案
单选题
关于突触前抑制的特点下列哪一项描述是错误的?()
A.潜伏期较长 B.通过轴突-轴突突触结构的活动来实现 C.持续时间长 D.突触前膜去极化 E.轴突末梢释放抑制性递质
答案
单选题
关于突触前膜,哪一项错误()
A.即轴突终末与后一神经元或肌纤维相接触的细胞膜 B.即轴突末端的细胞膜 C.比一般的细胞膜厚 D.即突触前成分 E.与突触小泡.线粒体等组成突触前成分
答案
主观题
关于抑制性突触后电位(IPSP)产生的叙述,哪一项是错误的?
答案
单选题
关于抑制性突触后电位产生过程的描述,哪一项是错误的
A.突触前轴突末梢去极化 B.Ca C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合 D.突触后膜对K E.突触后膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动
答案
单选题
关于抑制性突触后电位产生过程的描述,哪一项是错误的()
A.突触前轴突末梢去极化 B.Ca2 斗由膜外进入突触前膜内 C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合 D.突触后膜对 K+.Cl-的通透性升高 E.突触后膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动答案
答案
主观题
关于抑制性突触后电位产生过程的描述,哪一项是错误的?( )
答案
单选题
关于抑制性突触后电位产生过程的描述,哪一项是错误的()
A.突触前轴突末梢去极化 C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合 E.突触后膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动
答案
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