当试品绝缘受潮时随着试验电压U的变化，tan6值呈开口环曲线（）

tanδ测试时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈闭合的环状曲线，则试品属于（） 对于良好绝缘的tan6测试在额定电压以下时，随着试验电压U的升高而降低（） 对于良好绝缘的tan6测试在额定电压以下时，随着试验电压U的升高而基本不变（） 对于良好绝缘的tan6测试在额定电压以下时，随着试验电压U的升高而（C基本不变）（） 当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时介质损耗P与tan6成反比（） 当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tan6成（B正比）（） 当被试品具有较大电容时tan6测试只能反映整体的绝缘状况（） 试品绝缘表面脏污、受潮时，在试验电压下将产生表面泄漏电流，其对试品tanδ和C测量结果的影响程度是（） 试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，对试品tanδ和C测量结果的影响程度是（） 于良好绝缘的tanδ测试，在额定电压以下时，随着试验电压U的升高而（） 对于良好绝缘的tanδ测试，在额定电压以下时，随着试验电压U的升高而（） 在绝缘试验时通过测量介质损耗角的正切值tan6来检验介质损耗的大小（） 对于良好绝缘的tanδ测试，在额定电压以下时，随着试验电压U的升高而降低。 试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，对试品tanδ和C测量结果的影响程度与试品电容量的大小无关。（） 当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tanδ成反比。 当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tanδ成反比（） 对于良好绝缘的tanδ测试，在额定电压以下时，随着试验电压U的升高而基本不变。 对于良好绝缘的tanδ测试，在额定电压以下时，随着试验电压U的升高而基本不变。 对于良好绝缘的tanδ测试，在额定电压以下时，随着试验电压U的升高而基本不变（） M型介质试验器测量出被试品支路的视在功率S和有功损耗功率R则其介质损耗角正切值tan6=P/S（）