当被试品具有较大电容时tan6测试只能反映整体的绝缘状况（）

当试品绝缘受潮时随着试验电压U的变化，tan6值呈开口环曲线（） 西林电桥测试tanδ时采用（）时适用于被试品整体与地隔离时的测量。 西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品整体与地隔离时的测量。 对于电容量较大的试品 （例如套管、互感器等），测量 tanδ能有效地发现 局部集中性缺陷和整体分布性缺陷 。但对电容量较小的试品 （例如大中型发 电机、变压器、电力电缆、电力电容器等）测量 tanδ只能发现整体分布性 缺陷（） 对于电容量较大的试品 （例如套管、互感器等），测量 tanδ能有效地发现 局部集中性缺陷和整体分布性缺陷 。但对电容量较小的试品 （例如大中型发 电机、变压器、电力电缆、电力电容器等）测量 tanδ只能发现整体分布性 缺陷 。 采用移相法测量电气设备介质损耗角正切值tan6时，被试品的实际电容值等于正、反电源两次测量值的（C平均值）（） tanδ能反映绝缘的整体性缺陷和小电容试品中的严重局部性缺陷。 tanδ能反映绝缘的整体性缺陷和小电容试品中的严重局部性缺陷。() tanδ能反映绝缘的整体性缺陷和小电容试品中的严重局部性缺陷（） 一般来说，被试设备的体积电容愈大，或局部集中缺陷的范围愈小总体tan6的数值增加也就愈小，对缺陷的反映愈不灵敏（） 采用移相法测量电气设备介质损耗角正切值tan6时，被试品的实际电容值等于正、反电源两次测量值的平均值A对B错正确（） 温度对tanδ测试结果具有较大影响，一般同一被试设备，tanδ随温度的升高而（） 温度对tanδ测试结果具有较大影响，一般同一被试设备，tanδ随温度的升高而升高。 具有较大电感或对地电容的被试品在测量直流电阻后，应对被试品进行()。 当被试品本身电容量较大时，可采用串联谐振法进行交流耐压试验（） 当被试品本身电容量较大时，可采用串联谐振法进行交流耐压试验（） 西林电桥测试tanδ时采用()时适用于被试品不能与地隔离时的测量。 当被试品本身电容量较大时，可采用串并联谐振法进行交流耐压试验。 具有较大电感或对地电容的被试品在测量直流电阻后，应对被试品进行（C接地放电）（） M型介质试验器测量出被试品支路的视在功率S和有功损耗功率R则其介质损耗角正切值tan6=P/S（）