扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。

扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，杂质浓度大，扩散电流大;杂质浓度小，扩散电流小（） 扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。 扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。 扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小（） 中国大学MOOC: 热扩散工艺中扩散结深通常采用（）和（）两种方法进行测量。 中国大学MOOC: 扩散处理除在Si表面的垂直方向进行外，还将进 行横向扩散，横向扩散的宽度大约为（）xj。这也是小尺寸器件不能采用扩散工艺的原因。 集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺？各有什么优缺点？ 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。 光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（） 晶片发射波束的扩散程度主要取决于（） 晶片发射波束的扩散程度主要取决于（） （报关编码）半导体晶片生产用石英反应管及夹 扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺，现在主要被用来制作（）。 由晶片所发射的超声波声束的扩散主要取决于（） 压电晶片频率一定，尺寸增大，则声束扩散角（） 半扩散角是晶片尺寸和声波波长的函数，它（）。 压电晶片频率一定，尺寸增大，则声束扩散角将（） 半扩散角是晶片尺寸和声波波长的函数，它（） 在本征半导体材料中，有目的的掺入杂质后，改变了（）