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绝缘栅双极晶体管(IGBT)开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗低,为电压驱动,驱动功率大()
判断题
绝缘栅双极晶体管(IGBT)开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗低,为电压驱动,驱动功率大()
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单选题
绝缘栅双极晶体管(IGBT)开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗低,为电压驱动,驱动功率大()
A.正确 B.错误 C.0 D.0
答案
判断题
绝缘栅双极晶体管(IGBT)开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗低,为电压驱动,驱动功率大()
答案
单选题
关于绝缘栅双极晶体管开关速度,表述正确的是()
A.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其开关速度比GTR慢 B.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其开关速度比电力MOSFET更快 C.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其驱动电流很大 D.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其开关速度通常比GTR更快
答案
主观题
绝缘栅双极晶体管(IGBT)的开关特性与功率MOSFET类似,区别在于()。
答案
多选题
IGBT绝缘栅双极晶体管兼有()的优点。
A.高输入阻抗 B.高速特性 C.大电流密度 D.所需驱动功率小 E.驱动电路简单
答案
单选题
绝缘栅双极晶体管IGBT中的G代表()。
A.集电极 B.栅极 C.发射极 D.门极
答案
单选题
绝缘栅双极晶体管(IGBT)是控制型器件()
A.功率 B.电压 C.电流 D.频率
答案
单选题
IGBT即绝缘栅双极晶体管,是端器件()
A.一 B.二 C.三 D.四
答案
单选题
绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的()
A.高 B.相同 C.低 D.不一定高 E.无 F.无 G.无 H.无
答案
单选题
绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的()。
A.高 B.相同 C.低 D.不一定高
答案
热门试题
绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为()。
绝缘栅双极晶体管具有()的优点。
绝缘栅双极晶体管电路()
绝缘栅双极晶体管简称__
绝缘栅双极晶体管具有速度快,输入阻抗高,(),耐压高,电容量大的特点。
绝缘栅双极晶体管IGBT将MOSFET和()的优点集于一身。
绝缘栅双极晶体管IGBT将()和GTR的优点集于一身。
斩波器中的绝缘栅双极晶体管工作在开关状态。
斩波器中的绝缘栅双极晶体管工作在开关状态()
绝缘栅双极晶体管特点有()
80年代出现了绝缘栅双极晶体管IGBT,它是一种电压控制的全控型开关元器件()
绝缘栅双极晶体管具有速度快、()、阻抗高、通态电压低、耐压高、电容量大的特点。
电力场效应晶体管输入阻抗高、开关损耗小,但存在二次击穿()
绝缘栅双级晶体管的开关速度()电力场效应晶体管。
绝缘栅双极晶体管属于()控制元件。
要使绝缘栅双极晶体管导通,应()。
绝缘栅双极晶体管IGbT是一种复合型器件,它是由复合而成的()
根据绝缘栅双极晶体管(IGBT)的转移特性,当栅极电压UGE大于开启电压UGE(th)时,IGBT处于状态()
绝缘栅双极晶体管属于电流控制元件
绝缘栅双极晶体管属于半控型器件
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