判断题

绝缘栅双极晶体管(IGBT)开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗低,为电压驱动,驱动功率大()

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单选题
绝缘栅双极晶体管(IGBT)开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗低,为电压驱动,驱动功率大()
A.正确 B.错误 C.0 D.0
答案
判断题
绝缘栅双极晶体管(IGBT)开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗低,为电压驱动,驱动功率大()
答案
单选题
关于绝缘栅双极晶体管开关速度,表述正确的是()
A.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其开关速度比GTR慢 B.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其开关速度比电力MOSFET更快 C.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其驱动电流很大 D.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其开关速度通常比GTR更快
答案
主观题
绝缘栅双极晶体管(IGBT)的开关特性与功率MOSFET类似,区别在于()。
答案
多选题
IGBT绝缘栅双极晶体管兼有()的优点。
A.高输入阻抗 B.高速特性 C.大电流密度 D.所需驱动功率小 E.驱动电路简单
答案
单选题
绝缘栅双极晶体管IGBT中的G代表()。
A.集电极 B.栅极 C.发射极 D.门极
答案
单选题
绝缘栅双极晶体管(IGBT)是控制型器件()
A.功率 B.电压 C.电流 D.频率
答案
单选题
IGBT即绝缘栅双极晶体管,是端器件()
A.一 B.二 C.三 D.四
答案
单选题
绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的()
A.高 B.相同 C.低 D.不一定高 E.无 F.无 G.无 H.无
答案
单选题
绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的()。
A.高 B.相同 C.低 D.不一定高
答案
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