关于绝缘栅双极晶体管开关速度，表述正确的是（）
A. 绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度比GTR慢
B. 绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度比电力MOSFET更快
C. 绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其驱动电流很大
D. 绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度通常比GTR更快
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关于绝缘栅双极晶体管开关速度，表述正确的是（）
A.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度比GTR慢 B.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度比电力MOSFET更快 C.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其驱动电流很大 D.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度通常比GTR更快
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关于绝缘栅双极晶体管安全工作区，表述正确的是：
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绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的（）
A.高 B.相同 C.低 D.不一定高 E.无 F.无 G.无 H.无
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绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的()。
A.高 B.相同 C.低 D.不一定高
答案
绝缘栅双极晶体管电路（）
A.不必有专门的强迫换流 B.可以有专门的强迫换流 C.必须有专门的强迫换流 D.可以有专门的强迫换流
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绝缘栅双极晶体管简称__
答案
绝缘栅双极晶体管特点有（）
A.输入阻抗高 B.工作频率高 C.驱动功率小 D.能处理大电流 E.过载能力差 F.易击穿
答案
绝缘栅双极晶体管具有（）的优点。
A.晶闸管 B.单结晶体管 C.电力场效应管 D.电力晶体管和电力场效应管
答案
IGBT绝缘栅双极晶体管兼有（）的优点。
A.高输入阻抗 B.高速特性 C.大电流密度 D.所需驱动功率小 E.驱动电路简单
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要使绝缘栅双极晶体管导通，应()。
A.在栅极加正电压 B.在集电极加正电压 C.在栅极加负电压 D.在集电极加负电压
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绝缘栅双极晶体管属于()控制元件。
绝缘栅双极晶体管（IGBT）是控制型器件（）
绝缘栅双极晶体管属于半控型器件
绝缘栅双极晶体管IGBT中的G代表（）。
绝缘栅双极晶体管属于电流控制元件
IGBT即绝缘栅双极晶体管，是端器件（）
下面哪个是绝缘栅双极晶体管的简称（）
绝缘栅双极晶体管(IGBT)的开关特性与功率MOSFET类似，区别在于（）。
绝缘栅双极晶体管的本质是一个（）。
斩波器中的绝缘栅双极晶体管工作在开关状态。
斩波器中的绝缘栅双极晶体管工作在开关状态（）
绝缘栅双级晶体管的开关速度（）电力场效应晶体管。
绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为()。
绝缘栅双极晶体管必须有专门的强迫换流电路（）
绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由()来控制。
门极可关断晶闸管，大功率晶体管，功率场效应晶体管，绝缘栅双极晶体管按顺序用英文缩写表
绝缘栅双极晶体管具有速度快,输入阻抗高,（）,耐压高,电容量大的特点。
绝缘栅双极晶体管内部为四层结构。
绝缘栅双极晶体管内部为四层结构（）
绝缘栅双极晶体管IGBT将MOSFET和（）的优点集于一身。
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