中国大学MOOC: EMOS管存在导电沟道时，栅源电压必定大于零。

P沟道结型场效应管工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置 P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。() P-MOSFET栅偏压为零时，漏源极之间就存在导电沟道的称为耗尽型。() 对于N沟道JFET，对应栅源电压vGS ，漏源电压vDS，夹断电压vP，描述正确的是（） 中国大学MOOC:"对于增强型N型沟道MOS管，UGS只能为（ ）电压。（填写正/负）"; P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为增强型。() P-MOSFET栅偏压为零时，漏源极之间就存在导电沟道的称为增强型。() 中国大学MOOC: MOS型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。 （ ） 绝缘栅场效应管根据导电沟道的不同，可分为__和__两种类型 中国大学MOOC: 测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作状态 中国大学MOOC: 测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=-3V，VGS=-1V，VTP=-1.5V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。 中国大学MOOC: 测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。 N沟道结型场效应管导电沟道中的导电载流子为 中国大学MOOC: 测得某MOSFET的漏源电压，栅源电压值以及阈值电压：VDS=-3V，VGS=-2V，VTP=-1V，试判断该管子工作在 区。 额定栅源电压是功率场效应管的额定电压。() 中国大学MOOC: 不同电压的理想电压源不允许串联。（ ） 中国大学MOOC: 理想电压源电压由 决定，电流的大小由电压源以及外电路决定。 N沟道结型场效应管工作在恒流区其栅-源电压UGS应大于夹断断电压小于零（） P沟道结型场效应管工作在恒流区其栅-源电压UGS应小于夹断断电压大于零（） 中国大学MOOC: 如果MOS晶体管的输出电导gds等于零，说明漏源电流IDS与漏源电压VDS无关。