P-MOSFET栅偏压为零时，漏源极之间就存在导电沟道的称为耗尽型。()

P沟道结型场效应管工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置 N沟道场效应管的电流ID是由沟道中（）在漏源极之间电场作用下运动形成的。 对于N沟道JFET，对应栅源电压vGS ，漏源电压vDS，夹断电压vP，描述正确的是（） 耗尽型MOSFET，栅源极之间的PN结()。 中国大学MOOC: 开启电压是增强型场效应管产生导电沟道所需的栅源电压。 结型场效应管利用删源极间所加的 （ ） 来改变导电沟道的电阻。 N沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管在ID时，栅源电压为负值（） N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（） N沟道增强型绝缘栅场效晶体管，栅源电压VGS是（） N沟道增强型绝缘栅型场效晶体管只有加一定的（）,才能形成导电沟道。   P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是________ N沟道增强型场效晶体管正常工作时，应加（）栅源电压。()   在场效晶体管的特性中，反映栅源电压对漏极电流的控制能力的是（）   栅极与漏、源极完全绝缘的场效晶体管，称绝缘栅场效晶体管。() MOSFET型场效应管存放时，应使（）(源或栅)极与（）(源或栅)极短接，避免栅极悬空。 若使晶体三极管工作在（）状态，必须使发射极加负偏压或零偏压，即使基极电流小于零，此时集电极一般也承受负偏压 N沟道结型场效应管工作在恒流区其栅-源电压UGS应大于夹断断电压小于零（） P沟道结型场效应管工作在恒流区其栅-源电压UGS应小于夹断断电压大于零（） 对电压源置零时,电压源支路相当于短路 绝缘栅场效应管根据导电沟道的不同，可分为__和__两种类型