为使晶体管可靠地处于截止状态时，它的集电结（）偏，发射结（）偏。

一个NPN三极管发射结和集电结都处于正偏，则此三极管处于 状态；其发射结和集电结都处于反偏时，此三极管处于 状态；当发射结正偏、集电结反偏时，三极管为 状态 晶体管工作在饱和区发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。晶体管集—射极的电压很小。() 三极管处于饱和工作状态时，发射结正偏，集电结反偏（） 三极管处于放大工作状态时，发射结正偏，集电结反偏（） 晶体管处于饱和状态时,集电结和发射结的偏置情况为 晶体管能够实现放大的外部条件是发射结和集电结都反偏 当晶体管的发射结正偏时，晶体管一定工作在放大状态（） 晶体管工作在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态UCE=0。() 晶体管工作在截止区发射结处于正向偏置，集电结处于正向偏置，晶体管工作于截止状态UCE=0。() 晶体三极管发射结处于正偏,集电结处于反偏,则三极管的工作状态为（7）（） 当晶体管处于放大状态时，其特征是：发射结处于（）偏置，集电结处于反向偏置。 当三极管的集电结处于正偏，发射结处于反偏时，三极管处于状态 三极管的截止条件：发射结反偏、集电结反偏（） 三极管的截止条件：发射结反偏、集电结正偏（） 晶体三极管放大状态的外部条件是发射结正偏、集电结反偏且发射结正偏电压必须大于死区电压（） 晶体三极管发射结处于正偏，集电结处反偏，则三极管的工作状态为()。 TTL集成门电路，当输入端全为高电平时，多发射极晶体管发射结（）偏，集电结分别存在（）偏。 TTL集成门电路，当输入端全为高电平时，多发射极晶体管发射结（）偏，集电结分别存在（）偏 三极管处于饱合状态时，其集电结和发射结都处于反偏。 三极管处于饱合状态时，其集电结和发射结都处于反偏（）