当晶体管的发射结正偏，集电结正偏，晶体管处于饱和状态。

当晶体管的发射结正偏的时候，晶体管一定工作在放大区（） 当晶体管的发射结正偏的时候，晶体管一定工作在放大区（） 三极管处于截止状态的条件是晶体管的发射结正偏（） 三极管处于截止状态的条件是晶体管的发射结正偏。（） 为使晶体管可靠地处于截止状态时，它的集电结（）偏，发射结（）偏。 晶体管在饱和状态时的条件是发射结()偏置，集电结()偏置。 晶体管具有放大作用时，它的集电结（）偏，发射结（）偏。 当晶体管的两个PN结都正偏时，则晶体管处于（） 三极管处于饱和状态时，其集电结和发射结都处正偏（） 发射结正偏，集电结反偏是晶体管工作在区的外部条件（） 发射结及集电结均处于正偏，则三极管的工作状态为饱和状态（） 三极管处于饱和工作状态时，发射结正偏，集电结反偏（） 中国大学MOOC: 晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏导通，集电结反偏。。 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（），锗管约为0.3V。 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为0.7V，锗管约为（）。 晶体三极管放大状态的外部条件是发射结正偏、集电结反偏且发射结正偏电压必须大于死区电压（） 一个NPN三极管发射结和集电结都处于正偏，则此三极管处于 状态；其发射结和集电结都处于反偏时，此三极管处于 状态；当发射结正偏、集电结反偏时，三极管为 状态 晶体三极管发射结处于正偏,集电结处于反偏,则三极管的工作状态为（7）（） 晶体三极管发射结处于正偏，集电结处反偏，则三极管的工作状态为()。 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（）V，锗管约为0.3V。