当晶体管的发射结正偏时，晶体管一定工作在放大状态（）

晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（）V，锗管约为0.3V。 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（）V，锗管约为0.3V 当晶体管的发射结与集电结都处于正相偏置时晶体管将工作在（） 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为0.7V，锗管约为0.3V。 晶体管工作在（）状态时，发射结正偏，集电结反偏。 晶体管处于饱和状态时，它的集电结（）偏，发射结（）偏。 晶体管具有放大作用时，它的集电结（）偏，发射结（）偏。 三极管处于截止状态的条件是晶体管的发射结正偏（） 三极管处于截止状态的条件是晶体管的发射结正偏。（） 工作在放大区的晶体管发射结 且集电结 晶体管工作在放大状态时，发射结反偏，硅管约为0.7V，锗管约为0.3V。 若晶体管发射结处于正向偏置，则其一定处于截止状态。（） 晶体管工作在放大状态时，发射结反偏，对于硅管约为0.7v，锗管约为0.3v。（） 晶体管工作在放大状态时，发射结反偏，对于硅管约为0.7v，锗管约为0.3v（） 晶体管工作在放大状态时，发射结反偏，对于硅管约为0.7V，锗管约为0.3V。 晶体管工作在饱和区发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。晶体管集—射极的电压很小。() 当晶体管处于放大状态时，其特征是：发射结处于（）偏置，集电结处于反向偏置。 当晶体管的两个PN结都正偏时，则晶体管处于（） 晶体管能够实现放大的外部条件是发射结和集电结都反偏 为使晶体管可靠地处于截止状态时，它的集电结（）偏，发射结（）偏。