当被试品具有较大电容时，tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。

在进行较大电容量被试品的变频耐压试验时，应直接在被试品端部进行（）测量。 当被试品本身电容量较大时，可采用串联谐振法进行交流耐压试验（） 当被试品本身电容量较大时，可采用串联谐振法进行交流耐压试验（） 对于电容量较大的试品 （例如套管、互感器等），测量 tanδ能有效地发现 局部集中性缺陷和整体分布性缺陷 。但对电容量较小的试品 （例如大中型发 电机、变压器、电力电缆、电力电容器等）测量 tanδ只能发现整体分布性 缺陷（） 对于电容量较大的试品 （例如套管、互感器等），测量 tanδ能有效地发现 局部集中性缺陷和整体分布性缺陷 。但对电容量较小的试品 （例如大中型发 电机、变压器、电力电缆、电力电容器等）测量 tanδ只能发现整体分布性 缺陷 。 M型介质试验器被试品测试支路包括被试品的等值电阻、等值电容及测量用电阻。 M型介质试验器被试品测试支路包括被试品的等值电阻、等值电容及测量用电阻（） 在进行较大电容量被试品的变频耐压试验时，应直接在被试品端部进行电压测量（） 西林电桥测试tanδ时采用（）时适用于被试品整体与地隔离时的测量。 当被试品本身电容量较大时，可采用串并联谐振法进行交流耐压试验。 tanδ能反映绝缘的整体性缺陷和小电容试品中的严重局部性缺陷。 tanδ能反映绝缘的整体性缺陷和小电容试品中的严重局部性缺陷。() tanδ能反映绝缘的整体性缺陷和小电容试品中的严重局部性缺陷（） tanδ测试时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈开口环曲线，则试品属于（） 西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品整体与地隔离时的测量。 tanδ测试时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈闭合的环状曲线，则试品属于（） 试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，对试品tanδ和C测量结果的影响程度与试品电容量的大小无关。（） 温度对tanδ测试结果具有较大影响，一般同一被试设备，tanδ随温度的升高而（） 在现场测量小电容量试品的介质tanδ值时，受外界影响的因素很多，往往引入很多误差，这类试品主要是指（） 当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tanδ成反比。