为了使晶体管工作于饱合区，必须保证（）

当晶体管发射结正偏，晶体管工作在放大区。（） 晶体管工作在放大区才正常，工作在饱和、截止区就不正常。 逆变器中电力晶体管工作在状态（） 晶体管工作在饱和区发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。晶体管集—射极的电压很小。() 当晶体管工作在饱和区时，发射结和集电结的电压应为（） 发射结正偏，集电结反偏是晶体管工作在区的外部条件（） 晶体管工作在放大状态时，必须满足外加电压发射结（），集电结（）。 晶体管工作在放大区时，集电结处于（） 逆变器中的电力晶体管工作在()状态。 晶体管工作在放大区的条件是（）。 晶体管工作在放大区的条件是 晶体管工作在放大状态的条件是（） 在单结晶体管触发电路中，单结晶体管工作在关状态（） 在单结晶体管触发电路中，单结晶体管工作在开关状态。 晶体管工作在放大区时，发射结处于（） 晶体管工作在放大区时，具有如下特点（） 晶体管工作在放大区时，发射结要（） 晶体管工作在放大区时，集电接处于（） 晶体管工作在放大区时的偏置状态为（） 简述MOSFET与薄膜晶体管工作原理上的不同。