当晶体管发射结正偏，晶体管工作在放大区。（）

晶体管工作在放大区时，发射结处于反向偏置（） 当晶体管工作在放大区时，发射结和集电结的电压应为（） 当晶体管的发射节正偏时，晶体管一定工作在放大区（） 晶体管工作在（）状态时，发射结正偏，集电结反偏。 工作在放大区的晶体管发射结 且集电结 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为前者反偏、后者也反偏。() 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（），锗管约为0.3V。 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为0.7V，锗管约为（）。 工作在放大状态的晶体管，应满足发射结反偏，集电结正偏（） 晶体管工作在放大区的条件是：发射结（________）偏置，集电结（________）偏置 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（）V，锗管约为0.3V。 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（）V，锗管约为0.3V 晶体管工作在饱和区发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。晶体管集—射极的电压很小。() 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为0.7V，锗管约为0.3V。 发射结正偏，集电结反偏是晶体管工作在区的外部条件（） 当晶体管的发射结与集电结都处于正相偏置时晶体管将工作在（） 晶体管具有放大作用时，它的集电结（）偏，发射结（）偏。 晶体管工作在放大状态时，发射结反偏，硅管约为0.7V，锗管约为0.3V。 晶体管工作在放大状态时，必须满足外加电压发射结（），集电结（）。 晶体管工作在放大状态时，发射结反偏，对于硅管约为0.7v，锗管约为0.3v。（）