以下晶体管工作在反向击穿区电压是几乎不变的（）

当晶体管工作在饱和区时，发射结和集电结的电压应为（） 晶体管工作在截止区发射结处于正向偏置，集电结处于正向偏置，晶体管工作于截止状态UCE=0。() 晶体管工作在饱和区发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。晶体管集—射极的电压很小。() 在线性放大电路中，晶体管工作在（）区。 为了使晶体管工作于饱合区，必须保证（） 稳压二极管工作在反向击穿区（） 在线性放大电路中，晶体管工作在饱和区 在线性放大电路中，晶体管工作在饱和区（） 晶体二极管的最高反向工作电压是取反向击穿电压的（）。 晶体管逆变器在工作中损坏原因，多数是由于晶体管被较高电压击穿的缘故（） 稳压二极管的工作区在反向击穿区，因此稳压二极管工作时应在其两端加反向电压（） 欲使硅稳压管工作在击穿区，必须加()电压，且()击穿电压。 硅稳压二极管工作在反向击穿状态,切断外加电压后，PN结仍处于反向击穿状态（） 中国大学MOOC: 稳压二极管工作在反向击穿区，但属于电击穿。 晶体管工作在放大状态时，必须满足外加电压发射结（），集电结（）。 当晶体管工作在放大区时，发射结和集电结电压应为（） 稳压管工作在反向击穿区时，稳压管将起稳压作用。() 当晶体管发射结正偏，晶体管工作在放大区。（） 晶体管工作在放大区的条件是（）。 晶体管工作在放大区的条件是