锗管PN结的允许温度比硅管PN结温度（）。

硅材料PN结的结压降为（）V。 区分硅管和锗管是通过测量BE结的（）。 二极管的核心是一个PN结.PN结具有单向导电特性（） 电力晶体管GTR有（）个PN结。 三极管按PN结的组合方式可分为: NPN型三极管|PNP型三极管|硅三极管|锗三极管 硅材料的PN结压降为（）。 可控硅有()PN结组成。 温度增加PN结呈现的电阻将会变（）。 PN结的两边有一内建电势差，用锗材料制成的PN结电势差约为（） 二极管的正极与PN结的P区连接，负极与PN结的N区相连。 PN结反向偏置时,PN结的内电场。PN结具有特性 单结晶体管具有（）个PN结。 （）管实质上就是一个PN结 二极管由个PN结组成（） 锗pn结的正向导通电压大约为（）V 可控硅内部有（）个PN结。 三极管的发射极与（）之间的PN结称为（），集电极与（）之间的PN结称为（）。 二极管加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。() 三极管的发射极与（）之间的PN结称为（），集电极与（）之间的PN结称为（） PN结正向电流的大小由温度决定的