锗材料PN结的结压降为（）。

锗材料二极管的PN结导通电压典型值为()。 锗二极管的正向压降比硅管大,锗管反向漏电流比硅管大（） 锗二极管的正向压降比硅管大，锗管反向漏电流比硅管大。 锗管的PN结的允许温度比硅管PN结温度（） 二极管的管压降：锗二极管正向管压降为（） 硅材料的PN结压降为（）。 在常温常压下，锗二极管的正向导通压降约为（） 锗材料电力二极管正向压降为（） PN结两端加入反向压降时，空间电荷区将（） 锗pn结的正向导通电压大约为（）V 硅材料PN结的结压降为（）V。 一般锗二极管的死区电压为（）,正向导通压降约为（）。 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（） 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()。   硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。（） 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大（） 通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 电导调制效应使得PN结在正向电流较大时压降仍然很低，维持1V左右，所以正向偏置的PN结表现为高阻态。