单选题

晶体管的随着电压升高而相应增大()

A. 电流放大倍数
B. 漏电流
C. 饱和降压
D. 输入电阻

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温度升高,晶体管的管压降会: 温度升高,晶体管的管压降│Ube│()。 当单结晶体管发射极电压低于( )电压,单结晶体管截止。 温度升高,晶体管输入特性曲线右移。() 温度升高,晶体管输出特性曲线 在晶体管AGC电路中,控制电压一般可控制晶体管的()。 单结晶体管的发射极电压高于谷点电压时,晶体管就导通。() 当单结晶体管的发射极电压Ue升高到时,就会导通() 为了提高晶体管的发射能力,防止由于结温的升高导致晶体管烧毁,占空比越高越好。(6002)() 当单结晶体管的发射极电压高于谷点电压时,单结晶体管关断() 单结晶体管二端加上电压增大时,流过器件的电流反而减小() 检修时,如使晶体管的基极、集电极短路(即基极—发射极间加上异常电压),则会使晶体管因()而损坏。 晶体管调节器上的大功率管断路后,发电机输出电压将升高。 晶体管的参数受温度的影响较大,当温度升高时,晶体管的β、ICBO、UBE的变化情况为(  )。 温度升高,晶体管输出特性曲线上移。() 晶体管按材料不同可分为硅晶体管和锗晶体管。 硅晶体管的死区电压约为V() 晶体管的参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β、ICBO和UBE的变化情况分别为(  )。 晶体管逆变器在工作中损坏原因,多数是由于晶体管被较高电压击穿的缘故() 温度升高,晶体管的电流放大系数β(),反向饱和电流ICBO()正向结电压uBE()。
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