使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取()V。
A. 0-5
B. 5-10
C. 10-15
D. 15-20
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使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取()V。
A.0-5 B.5-10 C.10-15 D.15-20
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二极管导通后硅管的导通电压一般取为（）V。
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二极管导通后锗管的导通电压一般取为（）V
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中国大学MOOC: 电力MOSFET导通的条件是（ ）且（ ）。
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电力MOSFET使用源极电压控制漏极电流。()
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中国大学MOOC: 测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作状态
答案
中国大学MOOC: 测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=-3V，VGS=-1V，VTP=-1.5V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
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中国大学MOOC: 测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
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耗尽型MOSFET，栅源极之间的PN结()。
晶闸管导通时，其正向电压一般为（）。
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下列关于IGBT与电力MOSFET说法正确的是: IGBT具有擎住效应|IGBT开关速度高于电力MOSFET|IGBT是电压驱动型器件|电力MOSFET存在二次击穿问题
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可控硅导通后，管压降一般约为（）V左右
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一般IGBT的驱动级正向驱动电压应该保持在20～30V（）
一般的IGBT的驱动级正向驱动电压应该保持在20~30V（）
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IGBT 相比MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大。
可控硅导通后，要使可控硅由导通转为阻断，须使阳极和阴极间的正向电压小于某一数值才行，通常取（）
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