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在一块杂质浓度较低的P型硅片上制作两个高浓度的N区,分别引出电极引线,称为场效应管的()。
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在一块杂质浓度较低的P型硅片上制作两个高浓度的N区,分别引出电极引线,称为场效应管的()。
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主观题
在一块杂质浓度较低的P型硅片上制作两个高浓度的N区,分别引出电极引线,称为场效应管的()。
答案
判断题
扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小()
答案
判断题
扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。
A.对 B.错
答案
判断题
扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。
A.正确 B.错误
答案
判断题
扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小()
答案
判断题
N型半导体中,掺入高浓度的三价杂质可以改型为P型半导体。(? ? ? )
答案
单选题
三极管BJT制作时,通常基区掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则很高。()
A.正确 B.错误
答案
单选题
如果在本征半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主杂质浓度大于受主杂质浓度,会造成什么结果()
A.通过杂质的补偿作用,半导体变为N型半导体 B.施主杂质和受主杂质完全补偿掉,结果是没有杂质,类似本征半导体 C.通过杂质的补偿作用,半导体变为P型半导体 D.施主杂质和受主杂质之间高度补偿,半导体中存在大量杂质,特性很差
答案
单选题
采用不同的掺杂工艺,将P型半导体和N型半导体制作的.在同一块硅片上,在他们的交界面形成PN结。PN结具有()
A.双向导电性 B.单向导电性 C.强导电性 D.绝缘性
答案
判断题
将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成了PN结,PN结具有单向导电性的特点()
答案
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物质由于()不同而产生扩散,扩散是由高浓度区向较低浓度区方向进行。
掺杂半导体中,载流子的浓度会影响载流子的迁移率。不论是空穴还是自由电子,在低杂质浓度下迁移率都,在高浓度下达到()
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反应器中原料乙烯中杂质浓度的增加树脂密度增加()
单片集成稳压电路就是将稳压电路中的全部元、器件都制作在一块硅片上的稳压块()
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采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体基片上,在它们的交界面形成空间电荷区称为
溶质原子由低浓度区向高浓度区进行的扩散称为()
借助于载体,药物从高浓度区向低浓度区扩散
借助于载体,药物从低浓度区向高浓度区转运
不需要载体,药物从高浓度区向低浓度区扩散
借助于载体,药物从低浓度区向高浓度区转运
不需要载体,药物从高浓度区向低浓度区扩散
借助于载体,药物从高浓度区向低浓度区扩散
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成部分()
不需要载体,药物从高浓度区向低浓度区扩散称为
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