扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小（）

离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。 三极管BJT制作时，通常基区掺杂浓度低；发射区的杂质浓度则很高。() 物理化学法最适合于处理杂质浓度很高的污水或很低的（） 中国大学MOOC: 硅恒定源扩散，在扩散温度硅的固溶度为Ns，在进行了40min扩散后，测得结深是1.5μm，若要获得2.0μm的结深，在原工艺基础上应再扩散多少分钟？硅表面杂质浓度是多少？ 三极管的放大作用一方面要满足内部条件，即要求（）杂质浓度要远大于（）杂质浓度，同时基区厚度要很（）；另一方面要满足外部条件，即发射结要（）偏置、集电结要（）偏置。 杂质半导体中( )的浓度对温度敏感 在杂质半导体中,少子浓度主要取决于 扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。 在杂质半导体中少子的浓度只与温度有关，而与掺杂浓度无关 杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（） 杂质半导体中，多数载流子浓度主要取决于 在杂质半导体中,多数载流子的浓度与( )有关 杂质半导体中多数载流子浓度取决于（），少数载流子浓度取于（） 在杂质半导体中，少数载流子浓度主要取决于（） 在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（） 温度升高时，杂质半导体中的多子浓度明显增加。() 杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( ) N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以改型为P型半导体。（? ? ? ） 在一块杂质浓度较低的P型硅片上制作两个高浓度的N区，分别引出电极引线，称为场效应管的（）。 室温附近，当温度升高时，杂质半导体中（???）浓度明显增加。