通常，硅二极管的反向饱和电流比锗管的小（）

二极管反向饱和电流越小，说明二极管的截止性能越好。（ ） 二极管反向饱和电流越小，说明二极管的截止性能越好（） 锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（） 锗二极管的导通电压通常比硅二极管的高（） 由二极管的特性曲线可以看出，当二极管的反向电压增加时，反向饱和电流（） 当温度升高时，二极管反向饱和电流将（） 当温度降低时，二极管反向饱和电流将（ ）。 当温度升高时，二极管反向饱和电流将（） 当温度升高时，二极管的反向饱和电流()。 当温度升高时，二极管反向饱和电流将（） 测量二极管的反向饱和电流时，反向电压增加时，反向电流（）。 硅二极管与锗二极管相比，一般反向电流较，正向压降较（） 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）。 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将()。 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（） 硅二极管比锗二极管的热稳定性（） 肖特基二极管的反向漏电流比普通二极管小。（ ） 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将减小。（ ） 硅二极管比锗二极管的热稳定性差（）