锗二极管的正向压降比硅管大，锗管反向漏电流比硅管大。

锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（） 通常，硅二极管的反向饱和电流比锗管的小（） 一般情况下，硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（） 锗管的基极与发射极之间的正向压降比硅管的正向压降大。（） 一般情况下，硅二极管导通后的正向压降比锗二极管的要小（） 硅管的反向电流比锗管的反向电流大。（） 硅管的反向电流比锗管的反向电流大（） 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 硅二极管的正向电阻（）锗二极管的正向电阻。 硅二极管比锗二极管的热稳定性（） 二极管的管压降：锗二极管正向管压降为（） 硅二极管比锗二极管的热稳定性差（） 硅二极管，它在反向电压下的漏电流比锗管小得多，但导通电压较高，约（）V。 锗二极管的导通电压通常比硅二极管的高（） 同温下，硅二极管的反向饱和电流大于锗二极管的反向饱和电流（） 下列二极管正向压降正确的是A.硅管为0.7VB．锗管为0.7VC．锗管为0.3VD．硅管为0.3V（） 二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V（） 二极管的管压降：硅二极管正向管压降为（） 硅二极管导通时的正向压降为V，锗二极管导通时的正向压降为V（）