选用晶体二极管时，只要其反向电压与工作电流符合要求就行了。

晶体二极管反向电流越大，说明二极管的单向导电性越差（） 在晶体二极管的反向截止区，反向电流随反向电压的增大而迅速增大。（） 晶体二极管的最高反向电压就是该管的反向击穿电压。（） 晶体二极管的最高反向电压就是该管的反向击穿电压（） 晶体二极管所加正向电压小于其截止区电压时，则二极管处于（）状态。 当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（） 晶体二极管不管加多大的反向电压都截止。 如果晶体二极管的正反向电阻都很小或为零，则该晶体二极管已被击穿（） 在晶体二极管的反截止区，反向电流随反向电压的增大而迅速增大。 晶体二极管的最高反向电压为反向击穿电压值的()或()。 当硅晶体二极管加上0.2V正向电压时.该晶体二极管相当于（） 在晶体二极管的两端加反向电压时，反向电阻很大，反向电流很小，基本处于（）状态。 一般来说，硅晶体二极管的死区电压大于锗晶体二极管的死区电压。 所谓晶体二极管的伏安特性是指加到二极管两端的电压与流过二极管电流的特性曲线。 晶体二极管正、反向电阻均为无穷大，那么二极管己损坏（） 在选择和使用晶体二极管时，主要的参考参数有最大整流电流和最高反向工作电压。 在选择和使用晶体二极管时，主要的参考参数有最大整流电流和最高反向工作电压（） 二极管只要加上反向电压就定截止（） 若小功率晶体二极管正、反向电阻均为零，那么二极管已损坏。 若小功率晶体二极管正、反向电阻均为零，那么二极管已损坏（）