西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量（）

当被试品具有较大电容时，tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。 当被试品具有较大电容时，tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷（） 采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度低（） 用末端屏蔽法测量串级式电压互感tan∮时应采用电桥正接线方式（） 采用QS1电桥测量tan6正接线比反接线准确度低（） 介损电桥测量小电容试品介质损耗因数时，采用( )接线较好。 当被试品具有较大电容时，tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。 当被试品具有较大电容时，tanδ测试只能反映整体的绝缘状况（） 西林电桥正接线与反接线相比抗干扰能力（） 用西林电桥测试tanδ时消除表面泄漏电流的接线方法是利用屏蔽环将表面泄漏电流直接回流到试验电源。 用西林电桥测试tanδ时消除表面泄漏电流的接线方法是利用屏蔽环将表面泄漏电流直接回流到试验电源。 西林电桥测试tanδ时，升压试验一般采用电压等级为110kV的电压互感器。 西林电桥测试tanδ时，升压试验一般采用电压等级为110kV的电压互感器（） 西林电桥正接线与反接线相比其抗干扰能力(A)。 在相同条件下，用QSI型西林电桥测量小电容试品的tgδT和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的（） 当被试品具有较大电容时tan6测试只能反映整体的绝缘状况（） 西林电桥正接线与反接线相比其抗干扰能力（A较强）（） 用西林电桥测试tan6时消除表面泄漏电流的接线方法是利用屏蔽环将表面泄漏电流直接回流到试验电源（） 在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品的tgδ和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的（） 西林电桥测试tan6时升压试验一般采用电压等级为110kV的电压互感器（）