若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。()

所谓n沟道MOS管指的是它的基底是n型半导体 所谓n沟道MOS管指的是它的基底是n型半导体（） N沟道结型场效应管工作在恒流区其栅-源电压UGS应大于夹断断电压小于零（） 对于绝缘栅场效应管，无论增强型还是耗尽型，只要是N沟道器件，UDS应为负值，衬底接最低电位，UGS越向正值方向增大，硒越小 场效晶体管的输入电阻比双极型晶体管的输入电阻( ) 由N沟道和P沟道增强型MOS管并联互补组成CMOS传输门,其控制电压分别加在。（4067）（） N沟道增强型MOSFET导电沟道的厚度，和UGS的大小有关 耗尽型MOS管不能采用自偏压方式。() 当门源电压UGS为零时，N沟道静电感应晶体管（SIT）处于状态（） 输入电阻n是衡量放大器对输入信号衰减程度的重要指标，输入电阻n越大则对输入信号的衰减程度越小（） CMOS电路是由N沟道的MOS管组成的（） 三极管正常工作时，其输入电阻大，而场效晶体管输入电阻小（） BJT管的输入电阻比MOSFET的输入电阻高（） P沟道结型场效应管工作在恒流区其栅-源电压UGS应小于夹断断电压大于零（） 绝缘栅型场效应管放大器的输入电阻比结型场效应管和三级管所构成放大器输入电阻大（） 晶体三极管的直流输入电阻和交流输入电阻都和温度有关，温度升高，直流输入电阻和交流输入电阻都增大。( )[332010101] N沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管在ID时，栅源电压为负值（） P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是________ 绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种 P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。()