N沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管在ID时，栅源电压为负值（）
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N沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管在ID时，栅源电压为负值（）
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N沟道增强型绝缘栅场效晶体管，栅源电压VGS是（）
A.正极性 B.负极性 C.零 D.不能确定极性
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栅极与漏、源极完全绝缘的场效晶体管，称绝缘栅场效晶体管。()
答案
N沟道增强型场效晶体管正常工作时，应加（）栅源电压。()
A.正向 B.反向 C.正向或反向 D.以上都不对
答案
N沟道增强型绝缘栅型场效晶体管只有加一定的（）,才能形成导电沟道。
答案
N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）
A.正极性 B.负极性 C.零 D.不能确定
答案
N沟道增强型场效晶体管的开启电压（）
A.大于零 B.小于零 C.等于零 D.以上都可能
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绝缘栅双极型晶体管简称（）
A.MOSFE B.IGBT C.GR D.GO
答案
结型场效应晶体管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽承受反向电压，才能保证其Rcs大的特点（）
答案
绝缘栅双极型晶体管具有的优点（）
A.驱动功率小 B.开关速度快 C.饱和压降低 D.容量大 E.开关速度慢
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绝缘栅双极晶体管（IGBT）是控制型器件（）
IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管（）
绝缘栅双极型晶体管简称为（）
绝缘栅双极晶体管属于半控型器件
IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管。
绝缘栅双极型晶体管具有（）的优点
绝缘栅双极晶体管简称__
绝缘栅双极晶体管电路（）
结型场效应晶体管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R。。大的特点（）
结型场效应晶体管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点（）
绝缘栅双极型晶体管IGBT是的复合管（）
在使用绝缘栅型场应管时,栅源间应有直流通路（）
绝缘栅双极型晶体管的英语缩写是（）。
绝缘栅双级型晶体管的驱动方式是（）
要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）。
场效晶体管在放大电路中，其漏极电流iD受栅源电压uGS的控制。()
绝缘栅双极晶体管特点有（）
对于绝缘栅场效应管，无论增强型还是耗尽型，只要是N沟道器件，UDS应为负值，衬底接最低电位，UGS越向正值方向增大，硒越小
绝缘栅型场效应晶体管可分为（）
绝缘栅双极型晶体管属于电流控制器件。
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