硅管比锗管受温度影响（）。

锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（） 硅二极管比锗二极管的热稳定性差（） 硅二极管的反向电流比锗二极管的反向电流（） 区分硅管和锗管是通过测量BE结的（）。 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（） 锗二极管的导通电压通常比硅二极管的高（） 二极管按材料分类有硅管和锗管（） 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。（） 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大（） 锗管的基极与发射极之间的正向压降比硅管的正向压降大。（） 硅管与锗管的死区电压分别为（）。 硅管是指NPN型，锗管是指PNP型 硅管与锗管的死区电压分别为（） 通常，硅管的死区电压约为V，锗管约为V（） 三极管按照材料可分为锗管和硅管（） 一般来说硅三极管的穿透电流小于锗三极管的穿透电流，故硅管的热稳性能比锗三极管的热稳性能要好。(      )   硅二极管的反向漏电流比锗二极管的反向漏电流大。（） 下列二极管正向压降正确的是A.硅管为0.7VB．锗管为0.7VC．锗管为0.3VD．硅管为0.3V（） 通常，硅管的死区电压约为V，锗管约为（B）V（） 硅二极管的反向漏电流比锗二极管的反向漏电流大。（小）（）