通常，硅管的死区电压约为V，锗管约为V（）

锗材料二极管的死区电压为（）V。 锗材料二极管的死区电压为（）V 硅管与锗管的死区电压分别为（）。 硅管与锗管的死区电压分别为（） 锗二极管的死区电压为0.1V。 锗二极管死区电压为0.1V，导通电压为0.3V（） 通常锗管的死区电压约为（） 导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为V，硅管约为V 硅材料二极管的死区电压为（）V。 硅材料二极管的死区电压为（）V 若锗管死区电压为0.3V,管子导通时所加的正向电压应是（） 锗管的死区电压为0.3V，管子导通时所加的正向电压应是（） 硅材料二极管的死区电压为0.3V。 通常硅管的死区电压为（） 通常硅管的死区电压约为（） 二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？ 一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压（） 硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。 硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。 小电流硅二级管的死区电压为0.5V。正向压降为0.7V。