硅管的反向电流比锗管的反向电流大（）

通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。 硅二极管，它在反向电压下的漏电流比锗管小得多，但导通电压较高，约（）V。 在相同大小的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常           于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳性能较           。   硅二极管与锗二极管相比，一般反向电流较，正向压降较（） 二极管反向截止时，反向电阻大，反向电流约为0（） 硅稳压管的反向电流不超过工作范围，反向电流变化很大时，其电压变化（）。 反向电流是衡量二极管反向特性的一个重要参数，反向电流大，二极管性能就好（） 硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而（） 硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而（） 测量二极管的反向饱和电流时，反向电压增加时，反向电流（）。 当温度升高，硅二极管的反向饱和电流将（） 最大反向电流是指二极管加上最大反向工作电压时的反向电流,反向电流越大,说明二极管的单向导电性能越好。 通常情况下，锗材料的半导体管比硅材料的管子漏电流要大（） 二极管在反向击穿区的反向电流（） 二极管在反向截止区的反向电流（） 一般来说硅三极管的穿透电流小于锗三极管的穿透电流，故硅管的热稳性能比锗三极管的热稳性能要好。(      )   二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。() 肖特基二极管的反向漏电流比普通二极管小。（ ） 硅管比锗管受温度影响（）。 在二极管加反向电压时，会形成（）的反向电流，且反向电压不超过某一范围时，反向电流大小（）。