晶体管工作在（）状态时，发射结正偏，集电结反偏。

三极管处于截止工作状态时，发射结正偏，集电结反偏（） 三极管处于饱和工作状态时，发射结正偏，集电结反偏（） 晶体三极管放大状态的外部条件是发射结正偏、集电结反偏且发射结正偏电压必须大于死区电压（） 三极管工作在放大状态的条件是:发射结正偏，集电结正偏 晶体管工作在饱和区发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。晶体管集—射极的电压很小。() 三极管处于放大工作状态时，发射结正偏，集电结反偏（） 三极管工作在放大区时，发射结正偏，集电结也正偏（） 当发射结和集电结均正偏时，三极管工作在（）状态。 为使晶体管可靠地处于截止状态时，它的集电结（）偏，发射结（）偏。 要使三极管工作在截止区,则需发射结反偏,集电结反偏 要使三极管工作在饱和区,则需发射结反偏,集电结反偏 一个NPN三极管发射结和集电结都处于正偏，则此三极管处于 状态；其发射结和集电结都处于反偏时，此三极管处于 状态；当发射结正偏、集电结反偏时，三极管为 状态 晶体管工作在放大状态时，必须满足外加电压发射结（），集电结（）。 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（），锗管约为0.3V。 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为0.7V，锗管约为（）。 当晶体管的发射结正偏时，晶体管一定工作在放大状态（） 晶体管具有放大作用时，它的集电结（）偏，发射结（）偏。 三极管工作在饱和状态时，集电结和发射结均处于正偏（） 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（）V，锗管约为0.3V 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（）V，锗管约为0.3V。