锗二极管门限电压是（）V

二极管当中，硅管的开启电压约为（ ）V，锗管约为（ ）V。 二极管真正导通后，锗管的电压约为()V。 锗二极管的导通电压通常比硅二极管的高（） 锗二极管死区电压为0.1V，导通电压为0.3V（） 锗二极管的死区电压为（） 锗二极管的死区电压约为（） 锗二极管导通压降是（）V 硅二极管和锗二极管的导通电压分别为 二极管按材料分类为硅二极管和锗二极管（） 导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为V（） 一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压（） 二极管导通后，其二极管两端电压变化很小，锗管约为（） 锗二极管的正向导通电压是（）。 锗二极管正向导通电压应为（）。 导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为V，硅管约为V 锗二极管的正向导通电压为()。 锗二极管的正向导通电压为（）。 锗二极管的正向导通电压为（） 锗二极管的正向导通电压力（） 硅二极管导通时的正向压降为V，锗二极管导通时的正向压降为V（）