IGBT导通时，由B+注入区向N基区发射少数载流子，从而对漂移区进行调制，使IGBT具有很强的通流能力（）

当环境温度升高时,二极管的反向饱和电流IS将增大,这是因为此时PN结内部的: 多数载流子浓度减小；多数载流子浓度降低|多数载流子浓度增大；多数载流子浓度增加|少数载流子浓度减小；少数载流子浓度降低|少数载流子浓度增大；少数载流子浓度增加 N型半导体中的少数载流子是（） 在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子，故N型半导体带负电（） N型半导体以（）导电为主，也称为（）型半导体，其中（）为多数载流子，（）为少数载流子； P型半导体以（）导电为主，也称为（ ）型半导体，其中（）为多数载流子，（）为少数载流子。 LED即我们所说的发光二极管，在PN结注入载流子，少数载流子与多数载流子复合后，释放出能量，表现以（）的形式，从而实现电致发光。 在NP结处发生多数载流子扩散运行，少数载流子漂移运动，结果形成了空间电荷区A.正确B.错误（） 在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成 N 型半导体又称____型半导体,其中的多数载流子是____,少数载流子是____,还有不能移动的____ N型半导体中自由电子是少数载流子。（） IGBT中由于有双极型晶体管存在，带来了电导调制效应使IGBT导通电阻变小，但也引入了少数载流子储存现象，使IGBT开关速度低于电力MOS管（） 在NP结处发生多数载流子扩散运行，少数载流子漂移运动，结果形成了空间电荷区。 在P型半导体中，（）是多数载流子，（）是少数载流子。 与多数载流子相比，少数载流子的浓度受温度影响大 在错P结处发生多数载流子扩散运行，少数载流子漂移运动，结果形成了空间电荷区（） P型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是电子（） 三极管工作在放大状态时，发射区是（）载流子，基区则是作为输送和控制载流子的基地，集电区是（）载流子的。 杂质半导体中多数载流子浓度取决于（），少数载流子浓度取于（） N 型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。_ NPN型三极管的基区中多数载流子是电子 npc型三极管的基区中多数载流子是电子（）