功率场效应晶体管的特点是栅极的静态内阻高,驱动功率小,撤除（）后能自行关断,同时不存在二次击穿,安全工作区宽。
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功率场效应晶体管特点是___________的静态内阻高，驱动功率小，撤除栅极信号后能自行关断，同时不存在二次击穿，安全工作区宽。
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功率场效应晶体管的特点是栅极的静态内阻高,驱动功率小,撤除（）后能自行关断,同时不存在二次击穿,安全工作区宽。
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功率场效应晶体管特点是栅极的静态内阻高，驱动功耗小，撤除栅极信号能自行关断，同时不存在二次击穿，安全工作区宽（）
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电力场效应晶体管栅极绝缘，栅极无电流，所以栅极驱动功率为零。
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功率场效应晶体管一般为()。
A.N沟道耗尽型 B.N沟道增强型 C.P沟道耗尽型 D.P沟道增强型
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功率场效应晶体管的三个引脚符号为（）。
A.源极S，漏极D，发射极E B.漏极D，发射极E，集电极C C.栅极G，发射极E，集电极C D.源极S，漏极D，栅极G
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功率场效应晶体管是单极性器件，属于电流控制型。
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门极可关断晶闸管，大功率晶体管，功率场效应晶体管，绝缘栅双极晶体管按顺序用英文缩写表
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双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号为（）
A.均为电压控制 B.双极型晶体管为电压控制.场效应晶体管为电流控制 C.均为电流控制 D.双极型晶体管为电流控制.场效应品体管为电压控制
答案
功率场效应晶体管（PowerMOSFET）开关速度高，输入阻抗低，热稳定性好，所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，存在二次击穿问题（）
A.正确 B.错误 C.0 D.0
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功率场效应晶体管最大功耗随管壳温度的增高而（）。
场效应晶体管可用于（）。
功率场效应管（功率MOSEFT）和GTR和GTO相比，其明显特点是栅极的静态内阻高，（）撤除栅极信号后能自行关断
场效应晶体管与晶体管有何不同？
电力场效应晶体管(MOSFET)有哪些特点?
功率场效应管(功率MOSFET)与GTR和GTO相比，其明显的特点是栅极的静态内阻高，（），撤除栅极信号后能自行关断。
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场效应晶体管的特点是输入阻抗低和极限频率低（）
电力场效应晶体管MOSFET（）现象。
电力场效应晶体管MOSFET()现象。
电力场效应晶体管MOSFET是（）器件。
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的本质是一个场效应晶体管（）
双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为()。
晶体管属于_______控制器件，场效应晶体管属于_______控制器件
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场效应晶体管的输入电阻可高达（）。
场效应晶体管是由控制漏极电流的
场效应晶体管是用（）控制漏极电流的
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