功率场效应晶体管（PowerMOSFET）开关速度高，输入阻抗低，热稳定性好，所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，存在二次击穿问题（）
A. 正确
B. 错误
C. 0
D. 0
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绝缘栅双级晶体管的开关速度（）电力场效应晶体管。
A.稍高于 B.低于 C.等于 D.远高于
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功率场效应晶体管（PowerMOSFET）开关速度高，输入阻抗低，热稳定性好，所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，存在二次击穿问题（）
A.正确 B.错误 C.0 D.0
答案
功率场效应晶体管一般为()。
A.N沟道耗尽型 B.N沟道增强型 C.P沟道耗尽型 D.P沟道增强型
答案
电力晶体管的开关频率（）电力场效应晶体管的开关频率（）
A.稍高于 B.低于 C.远高于 D.等于
答案
场效应晶体管可用于（）。
A.数字电路的开关、大规模集成电路等 B.整流电路、放大电路 C.滤波电路、整流电路 D.小规模集成电路、开关电路
答案
场效应晶体管可应用于大规模集成、开关速度高、信号频率高的电路。（）
答案
场效应晶体管与晶体管有何不同？
答案
功率场效应晶体管的三个引脚符号为（）。
A.源极S，漏极D，发射极E B.漏极D，发射极E，集电极C C.栅极G，发射极E，集电极C D.源极S，漏极D，栅极G
答案
场效应晶体管的控制方式是()。
A.输入电流控制输出电流 B.输入电流控制输出电压 C.输入电压控制输出电流 D.输入电压控制输出电压
答案
电力场效应晶体管MOSFET（）现象。
A.有二次击穿 B.无二次击穿 C.要防止二次击穿 D.无静电击穿
答案
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电力场效应晶体管MOSFET()现象。
结型场效应晶体管可分为（）。
电力场效应晶体管MOSFET是（）器件。
功率场效应晶体管是单极性器件，属于电流控制型。
门极可关断晶闸管，大功率晶体管，功率场效应晶体管，绝缘栅双极晶体管按顺序用英文缩写表
双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为()。
晶体管属于_______控制器件，场效应晶体管属于_______控制器件
双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号为（）
的本质是一个场效应晶体管（）
场效应晶体管的输入电阻可高达（）。
绝缘栅型场效应晶体管可分为（）
电力场效应晶体管(MOSFET)有哪些特点?
场效应晶体管的输入电阻可高达（）。
功率场效应晶体管最大功耗随管壳温度的增高而（）。
绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）
场效应晶体管是由控制漏极电流的
场效应晶体管是用（）控制漏极电流的
电力场效应晶体管适用于（）的设备。
电力场效应晶体管属于双极型器件。
电力场效应晶体管输入阻抗高、开关损耗小，但存在二次击穿（）
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