斩波器中的绝缘栅双极晶体管工作在开关状态。

绝缘栅双极晶体管属于()控制元件。 关于绝缘栅双极晶体管安全工作区，表述正确的是： 绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的（） 绝缘栅双极晶体管(IGBT)的开关特性与功率MOSFET类似，区别在于（）。 绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的()。 绝缘栅双极晶体管（IGBT）是控制型器件（） 绝缘栅双极晶体管属于半控型器件 绝缘栅双极晶体管内部为四层结构。 绝缘栅双极晶体管属于电流控制元件 IGBT即绝缘栅双极晶体管，是端器件（） 下面哪个是绝缘栅双极晶体管的简称（） 绝缘栅双极晶体管内部为四层结构（） 绝缘栅双极晶体管的本质是一个（）。 绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为()。 绝缘栅双极晶体管必须有专门的强迫换流电路（） 绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由()来控制。 绝缘栅双极晶体管IGBT将MOSFET和（）的优点集于一身。 绝缘栅双极晶体管IGBT将（）和GTR的优点集于一身。 斩波器中的电力晶体管，工作在（）状态 在单结晶体管触发电路中，单结晶体管工作在开关状态。