西林电桥测试tanδ时，升压试验一般采用电压等级为110kV的电压互感器。

对于额定电压为35kV及以上的设备，测试tanδ时一般升压至10kV。 对于额定电压为35kV及以上的设备，测试tanδ时一般升压至10kV（） 对于额定电压为35kV及以上的设备，测试tan6时一般升压至（A10kV）（） 对于额定电压为35kV及以上的设备，测试tan6时一般升压至10kV（） QS1电桥（西林电桥）包括升压试验设备、QS1电桥桥体及（） 实验室内的测试材料及小设备 ，西林电桥一般用 （ )。 用电桥法测量直流电阻，当被测试电阻在10Ω以上时，一般采用单臂电桥法测量（） 用末端屏蔽法测量串级式电压互感tan∮时应采用电桥正接线方式（） 采用QS1电桥测量tan6反接线时电桥的三根引线应按试验电压对地绝缘对接地物体保持一定的绝缘距离，一般不小于（C125mm）（） 一般采用西林电桥原理测量介损正切角值。( ) 用西林电桥测试tanδ时消除表面泄漏电流的接线方法是利用屏蔽环将表面泄漏电流直接回流到试验电源。 用西林电桥测试tanδ时消除表面泄漏电流的接线方法是利用屏蔽环将表面泄漏电流直接回流到试验电源。 用电桥法测量直流电阻，当被测试电阻在10Ω以上时，一般采用（）法测量 采用QS1电桥进行反接线测试tanδ，其工作电压不可超过10kV。 用西林电桥测试tan6时消除表面泄漏电流的接线方法是利用屏蔽环将表面泄漏电流直接回流到试验电源（） 西林电桥采用正接线及反接线时，其测试原理（A相同）（） 用西林电桥测试tan6时消除表面泄漏电流的接线方法是利用（B屏蔽环）将表面泄漏电流直接回流到试验电源（） 用西林电桥测试tan6时消除表面泄漏电流的接线方法是利用将表面泄漏电流直接回流到试验电源（B屏蔽环）（） 采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线。 采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线（）