二极管真正导通后，锗管的电压约为()V。

Si二极管的死区电压约为V，Ge二极管的死区电压约为V，Si二极管导通时的管压降约为V，Ge二极管导通时的管压降约为V 锗二极管的正常导通管压降为（）。 导通后二极管两端的电压基本上保持不变，称为二极管的“正向压降”。锗管约为（） 锗二极管的导通电压通常比硅二极管的高（） 硅二极管和锗二极管的导通电压分别为 绪二极管导通时的管压降约V（） 锗二极管死区电压为0.1V，导通电压为0.3V（） 锗二极管门限电压是（）V 二极管所加正向电压____死区电压时，二极管完全导通。 硅二极管，它在反向电压下的漏电流比锗管小得多，但导通电压较高，约（）V。 硅二极管导通时的正向管压降约V（） 若二极管的导通电压为0.3V，当阳极与阴极之间的电压大于（）V时，二极管导通 二极管导通后硅管的导通电压一般取为（）V。 二极管当中，硅管的开启电压约为（）V，锗管约为（）V 二极管当中，硅管的开启电压约为（ ）V，锗管约为（ ）V。 二极管两端电压大于（）电压时，二极管才导通 硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。 硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。 锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（） 锗材料二极管的死区电压为（）V。