导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为V（）

锗二极管导通压降是（）V 硅二极管导通时的正向压降为V，锗二极管导通时的正向压降为V（） 当二极管两端正向偏置电压大于死区电压，二极管才能导通。 锗二极管的导通电压为V（） 当二极管处在正向电压作用下，管子两端正偏压很小（约1V左右）时便开始导通（） 二极管两端加上0.7V的电压就能导通（） Si二极管的死区电压约为V，Ge二极管的死区电压约为V，Si二极管导通时的管压降约为V，Ge二极管导通时的管压降约为V 当二极管两端所加正向电压大于其死区电压时，二极管才能导通（） 二极管真正导通后，硅管的电压约为()V。 稳压二极管在反向击穿区内电流变化较大时，二极管两端电压不变（） 锗二极管的正常导通管压降为（）。 锗二极管的导通电压通常比硅二极管的高（） 二极管的两端电压与电流的关系称作二极管的（）特性。 稳压二极管是依据二极管反向电流剧增，但二极管的端电压却变化很小的特点制作而成的（） 稳压二极管是依据二极管反向电流剧增，但二极管的端电压却变化很小的特点制作而成的。（） 二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V（） 二极管的伏安特性是指二极管两端电压和流过二极管的电流之间的关系（?? ） 硅二极管和锗二极管的导通电压分别为 绪二极管导通时的管压降约V（） 二极管的两端电压与电流的关系，称为二极管的伏安特性。（）