硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。

硅二极管和锗二极管的导通电压分别为 半导体二极管按（）可分为硅二极管和锗二极管两类。 二极管按使用的半导体材料不同分为锗二极管和硅二极管。（） 二极管按使用的半导体材料不同分为锗二极管和硅二极管（） 硅二极管的正向电阻（）锗二极管的正向电阻。 硅二极管比锗二极管的热稳定性（） 一般来讲，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。() 锗材料二极管的死区电压为（）V。 锗材料二极管的死区电压为（）V 锗二极管的导通电压为V（） 当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于( )。 当硅二极管加上0.3V正向电压时，该二极管相当于（） 当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于（）   硅二极管的反向电流比锗二极管的反向电流（） 硅二极管比锗二极管的热稳定性差（） 一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压（） 硅二极管门限电压是（）V 硅二极管的门坎电压为（）v Si二极管的死区电压约为V，Ge二极管的死区电压约为V，Si二极管导通时的管压降约为V，Ge二极管导通时的管压降约为V 导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为V，硅管约为V